Рекомбинационную люминесценцию в γ-облученных полистироле и сцинтилляторах на его основе изучали при 77 К, возбуждая светом в полосу поглощения захваченных межмолекулярными ловушками электронов (λ ≥ 940 нм). Показано, что в результате рекомбиниции свободных электронов с положительно заряженными центрами возникает люминесценция компонентов с наиболее низко расположенными уровнями возбуждения, что экспериментально подтверждает защитный эффект длинноволновой люминесцирующей добавки в пластмассовых сцинтилляторах
Рекомбінаційну люмінесценцію в γ-опромінених полістиролі та сцинтиляторах на його основі вивчали при 77 К
збуджуючи світлом в полосу поглинання захвачених міжмолекулярними пастками електронів (λ ≥ 940 нм). Показано,
що у результаті рекомбінації вільних електронів з позитивно зарядженими центрами виникає люмінесценція
компонентів з найбільш низьким рівнем збудження, що експериментально підтверджує захисний ефект довгохвильової
люмінесціючої домішки у пластмасових сцинтиляторах.
Recombinational luminescence in -irradiated polystyrene and scintillators on its basis has been studied at 77 K by raising
light in a strip of absorption of seized with intermolecular traps electrons (λ ≥940 nm). It is shown that as a result of recombination
of the free electrons with positively charged centers there is a luminescence of components with the lowest located levels of
excitation, that is experimentally confirmed the protective effect of the long-wave luminescing additive in plastic scintillators.