Рассмотрено влияние электронной подсистемы на пластические свойства металлов при низких температурах. Изучены изменения параметров пластического течения при сверхпроводящем переходе в режимах ползучести и активного нагружения, закономерности формирования дефектной структуры в различных состояниях. Исследованы закономерности взаимодействия дислокаций с магнитной структурой промежуточного (в отсутствие и при наличии электрического тока) состояния. Изучено влияние сильных магнитных полей на величину деформирующего напряжения и структурные изменения в чистых металлах. Показано, что в тонких образцах высокочистых металлов наблюдается размерный эффект, обусловленный электрон-дислокационным взаимодействием.
Розглянуто вплив електронної підсистеми на пластичні властивості металів при низьких температурах. Вивчено
зміни параметрів пластичної течії при надпровідному переході в режимах повзучості і активного навантаження,
закономірності формування дефектної структури в різних станах. Досліджено закономірності взаємодії дислокацій з
магнітною структурою проміжного (при відсутності і при наявності електричного струму) стану. Вивчено вплив
магнітних полів на величину деформуючої напруги і структурні зміни у чистих металах. Показано, що у тонких зразках
високочистих металів спостерігається розмірний ефект, обумовлений електрон-дислoкаційною взаємодією.
In this work the influence of electron system on plastic properties of metals at low temperatures have been considered. The
changes of plastic flow parameters at superconducting transition during creep and active loading, the regularities of defect structure
formation in different states have been studied. The regularities of interaction of dislocations with magnetic structure of intermediate
state (in absence and with electric current) have been investigated. The influence of strong magnetic field on value of
deforming stress and structure changes in pure metals have been studied. It have been shown that in thin samples of pure metals
the size effect connected with electron-dislocation interaction is observed.
