Numeral simulation of an ion bunch (IB) charge influence on a boundary motion of a distributed virtual cathode
(VC) has been performed. It has been found that the IB changes the speed of VC boundary movement the more the
nearer the IB is to the VC boundary. As a result, the IB can control in certain limits the VC border motion.
Проведено численное моделирование влияния заряда ионного сгустка на скорость перемещения границы распределенного виртуального катода. Обнаружено, что заряд ионного сгустка изменяет скорость перемещения границы виртуального катода тем больше, чем ближе ионный сгусток к границе виртуального катода. Этот эффект приводит к тому, что в определенных пределах ионный сгусток может управлять перемещением границы виртуального катода.
Проведено чисельне моделювання впливу заряду іонного згустку на швидкість переміщення межі
розподіленого віртуального катода. Виявлено, що заряд іонного згустку змінює швидкість переміщення
межі віртуального катода тим більше, чим ближче іонний згусток до межі віртуального катода. Цей ефект
призводить до того, що в певних умовах іонний згусток може керувати переміщенням межі віртуального
катода.