Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN

Abstract

Представлен анализ транспортных свойств, идеализированного режима c ограничением накопления объемного заряда и резонансно-пролетного режима в n⁺–n–n⁺ и n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-диодах Ганна на основе GaN, AlN и InN. Показаны перспективность, особенности и проблемы использования полупроводниковых нитридов в диодах Ганна.

Properties transfer, idealized limited space-charge accumulation mode and resonance transit-time mode of the GaN, AlN, InN n⁺–n–n⁺ and n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺ Gunn diodes were studied. Prospects, peculiarities and problems of nitride semiconductors in Gunn diodes are represented.

Подано аналіз транспортних властивостей, ідеалізованого режиму з обмеженням об’ємного заряду і резонансно-прольотного режиму n⁺–n–n⁺ та n⁺–n⁺–n⁻–n–n⁺-діодів Ганна на основі GaN, AlN та InN. Показано перспективність, особливості і проблеми використання напівпровідникових нітридів у діодах Ганна.