Вплив сурфактантних підшарів Sb та Ge на структуру плівок Cu і Au

Abstract

Встановлено межі впливу сурфактантних підшарів стибію та ґерманію різних товщин на структуру тонких плівок металів у широкому інтервалі товщин. Показано, що сурфактантні підшари, попередньо нанесені на діелектричне підложжя, зменшують середні лінійні розміри кристалітів у осаджених плівках міді та золота. Виявлено можливість керованого росту та виготовлення тонких плівок металів з наперед заданими властивостями.

The effect of Sb and Ge surfactant underlayers of different thicknesses on Cu and Au metal films in a wide range of film thickness is revealed. As shown, the surfactant underlayers predeposited on dielectric substrates cause decrease of average linear sizes of crystallites in deposited Cu and Au films. The possibility of governed fabrication of thin metal films with specified properties is revealed.

Установлены пределы влияния сурфактантных подслоев сурьмы и германия различных толщин на структуру тонких пленок металлов в широком диапазоне толщин. Показано, что сурфактантные подслои, предварительно нанесенные на диэлектрическую подложку, уменьшают средние линейные размеры кристаллитов в осажденных пленках меди и золота. Обнаружена возможность управляемого роста и изготовления тонких пленок металлов с предварительно заданными свойствами.