Приведены экспериментальные результаты по получению в плазме тлеющего разряда легированных азотом проводящих наноструктурных алмазных покрытий. Изучено влияние условий синтеза покрытий на их
структуру и свойства. Определены зависимости скорости роста покрытий
и зависимости величины удельного сопротивления от параметров синтеза
в широком диапазоне их изменения. Показано, что изменения электропроводности наноструктурных алмазных плёнок при легировании их азотом связаны, прежде всего, с изменениями электропроводности межзёренных прослоек, а не с изменением размеров зёрен алмазной фазы.
Наведено експериментальні результати щодо одержання у плазмі жеврійного розряду леґованих Нітроґеном електропровідних наноструктурних діямантових покриттів. Вивчено вплив умов синтези покриттів на
їхні структуру та властивості. Визначено залежності швидкости росту
покриттів і залежності величини питомого опору від параметрів синтези в
широкому діяпазоні їхніх змін. Показано, що зміни електропровідности
наноструктурних діямантових плівок при леґуванні їх Нітроґеном
пов’язані, насамперед, зі змінами електропровідности міжзернових прошарків, а не зі зміною розмірів зерен діямантової фази.
The experimental results on the synthesis of nitrogen-doped conductive
nanostructured diamond coatings in the glow-discharge plasma are presented.
The influence of the coatings’ synthesis conditions on their structure and
properties are studied. The dependences of the coatings’-growth rate and
their resistance in a wide range of the synthesis-parameters’ changes are determined.
As shown, the changes in the electrical conduction of nanostructured diamond films doped with nitrogen are primarily related to changes in
the electrical conduction of the intergrain layers and not to changes in the
grain size of the diamond phase.
