В работе исследовано электросопротивление образцов стабилизированного диоксида циркония различной дисперсности от 10 до 500 нм в условиях давлений 20—50 ГПа и диапазона температур 77—400 К. Установлено существование структурных изменений, реализуемых при обработке давлением в интервалах 30—37 ГПа и 40—44 ГПа. Обнаружена зависимость давления перехода в высокопроводящее состояние от размеров кристаллитов. Исследованы электрофизические и релаксационные эффекты, возникающие при формировании новых кристаллических фаз.
В роботі досліджено електроопір зразків стабілізованого діоксиду цирконію різної дисперсности від 10 до 500 нм в умовах тиску 20—50 ГПа та діяпазону температур 77—400 К. Встановлено наявність структурних змін, що реалізуються при обробленні тиском в інтервалах 30—37 ГПа і 40—44 ГПа. Виявлено залежність тиску переходу у високопровідний стан від розміру кристалітів. Досліджено електрофізичні та релаксаційні ефекти, які виникають при формуванні нових кристалічних фаз.
Electrical resistance of stabilized zirconium dioxide with dispersity from 10 to 500 nm is investigated within the pressure and temperature ranges between 20 and 50 GPa and 77 and 400 K, respectively. Presence of structural changes under pressure treatment within the pressure ranges of 30—37 GPa and 40—44 GPa is revealed. Dependence of the pressure of transition into high-conductive state on crystallites size is discovered. Electrophysical and relaxation effects, which arise during formation of new crystalline phases, are studied.