Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
Тема:
Электронная аппаратура: исследования, разработки
УДК:
621.315.592
Посилання:
Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
Дата:
2002
Переглядів:
694
Завантажень:
375
Анотація:
Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.
