Удельное электросопротивление и коэффициент Холла в n-CdTe в области фазового перехода под давлением

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Физика и техника высоких давлений
→
Физика и техника высоких давлений, 2007 (том 17)
→
Физика и техника высоких давлений, 2007, № 2
→
Переглянути статтю

Удельное электросопротивление и коэффициент Холла в n-CdTe в области фазового перехода под давлением

Моллаев, А.Ю. ; Арсланов, Р.К. ; Алибеков, А.Г. ; Сайпулаева, Л.А.

Інші назви: Питомий електроопір і коефіцієнт Хола у n-CdTe в області фазового пе- реходу під тиском
Specific electric resistance and Hall coefficient in n-CdTe in a region of phase transition under pressure

Інший ID: PACS: 72.20.−i

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70331

Посилання: Удельное электросопротивление и коэффициент Холла в n-CdTe в области фазового перехода под давлением / А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, А.Г. Алибеков, Л.А. Сайпулаева // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 2. — С. 127-130. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Підтримка: Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 05–02–16608) и подпрограммы № 3 Программы Президиума РАН П-09 «Исследование вещества в экстремальных условиях».

Дата: 2007

Завантажень: 518

Удельное электросопротивление и коэффициент Холла в n-CdTe в области фазового перехода под давлением

Анотація:

Измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла n-CdTe при высоких гидростатических давлениях до 6 GPa. В диапазоне давлений P = 0−5 GPa наблюдаются два фазовых перехода: 1) цинковая обманка−киноварь (переход полупроводник−полупроводник, P = 2.1 ± 0.2 GPa); 2) киноварь−натрий хлор (переход полупроводник−металл, P = 3.5 ± 0.3 GPa).

The specific electric resistance and Hall coefficient in n-CdTe are measured at high hydrostatic pressure up to 6 GPa. In the pressure range P = 0−5 GPa there are two phase transitions: 1) zinc blende–cinnabar (semiconductor–semiconductor transition, P = 2.1 ± 0.2 GPa); 2) cinnabar−NaCl (semiconductor–metal transition, P = 3.5 ± 0.3 GPa).

Показати повний запис статті