Барические и температурные зависимости кинетических коэффициентов в ферромагнитном полупроводнике Cd1-xMnxGeP₂

Abstract

При атмосферном давлении измерены температурные зависимости удельного сопротивления ρ и коэффициента Холла RH в диапазоне температур 77−400 K. Определена энергия ионизации мелкого акцепторного уровня Ea. Полученные результаты хорошо согласуются с литературными данными. При гидростатических давлениях до 5 GPa и T = 300 K измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла в образцах Cd₁₋xMnxGeP₂ (x = 0−0.19). При P = 3.2 GPa соединение CdGeP₂ диссоциирует с образованием фаз CdP₂ и Ge. Введение марганца упрочняет кристаллическую структуру CdGeP₂. Для образца Cd₀.₈₁Mn₀.₁₉GeP₂ характерен обратимый фазовый переход при P = 3.5 GPa.

Temperature dependences of specific resistance ρ and Hall coefficient RH have been measured under atmospheric pressure and T = 77−400 K. Ionization energy of small acceptor level Ea has been determined. The results agree well with the literary data. Specific electrical resistance and Hall coefficient for samples of Cd₁₋xMnxGeP₂ (x = 0−0.19) have been measured at hydrostatic pressures up to 5 GPa and at 300 K. At P = 3.2 GPa, dissociation of solid solution Cd₁₋xMnxGeP₂ leads to the formation of separate phases of CdP₂ and Ge for x < 0.19. The addition of Mn stabilizes the crystal structure of CdGeP₂ and for the compound Cd₀.₈₁Mn₀.₁₉GeP₂ a reversible phase transition at P = 3.5 GPa is the case.