Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆

Abstract

Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa.

Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих температурах.

Dependences of the electrical resistance R on pressure p have been investigated for crystals of Sn₂P₂S₆ under fixed temperatures near the phase transition pressure p ≈ 0.2 GPa.