Исследованы электрические свойства под давлением 15–45 GPa кристаллических халькогенидов AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ и CuSnSbS₃. Обнаружены области существования в соединениях фазовых переходов. Проведено сравнение свойств исследованных соединений со свойствами аналогичных материалов.
Досліджено електричні властивості під тиском 15–45 GPa кристалічних халькогенідів AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ і CuSnSbS₃. Виявлено області існування в сполученнях фазових переходів. Проведено порівняння властивостей досліджених сполучень з властивостями аналогічних матеріалів.
The researches of electrical properties at pressure 15–45 GPa of crystal chalcogenides AgPbSbSe₃, CuSnAsSe₃, CuSnSbSe₃, AgSnSbSe₃ and CuSnSbS₃ have been performed. The regions of existence of phase transitions in the compounds have been found. Comparison of properties of the studied compounds with properties of similar compounds have been performed.