Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Інші назви:
Прогнозування напруги відсічки іонно-імплантованих польових транзисторів з бар'єром Шотткі на GaAs
Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors
Prediction of the threshold voltage of GaAs ion-implanted metal-semiconductor field-effect transistors
Тема:
Электронные средства: исследования, разработки
Посилання:
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 6. — С. 3-5. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
Дата:
2007
Переглядів:
765
Завантажень:
616
Анотація:
Напряжение отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs можно прогнозировать до нанесения контактов по вольт-фарадным измерениям.
