Модель линии передачи для наноэлектроники

Abstract

Предложена новая модель для решения квантово-механических задач. В рамках этой модели получены аналитические выражения для резонансных параметров и характеристик типичных барьерных структур наноэлектроники.

На основі моделі лінії передачі отримано аналітичні вирази для резонансних параметрів і характеристик типових бар'єрних структур наноелектроніки. Приведено характеристики, що ілюструють ефективність такого підходу.

Analytical expressions for resonant parametres and characteristics of typical barrier nanoelectronic structures have been received on the basis of the transmission line model. Characteristics illustrating the efficiency of such approach are presented in the article.