Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
Інші назви:
Отримання арсенід-галієвих структур силових біполярних і польових транзисторів методом газофазної епітаксії
Producing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect transistor by CVD-method
Producing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect transistor by CVD-method
Тема:
Сенсоэлектроника
Посилання:
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
Дата:
2010
Переглядів:
681
Завантажень:
1016
Анотація:
Исследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками.
