Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

Дружинин, А.А. ; Марьямова, И.И. ; Кутраков, А.П. ; Лях-Кагуй, Н.С. ; Маслюк, В.Т. ; Мегела, И.Г.

Тема: Сенсоэлектроника

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51887

Посилання: Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, Н.С. Лях-Кагуй, В.Т. Маслюк, И.Г. Мегела // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 1. — С. 26-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Дата: 2010

Завантажень: 471

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы

Анотація:

Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергий до 14 МэВ на характеристики полупроводниковых тензорезисторов на основе нитевидных кристаллов кремния р-типа в различных температурных диапазонах.

Показати повний запис статті