Gamma-radiation spectra of 1200MeV electrons in thick beryllium, silicon and tungsten single crystals

Abstract

Gamma radiation spectra of 1200MeV electrons from the single crystals of the beryllium 1.2mm thick, silicon 1.5mm and 15mm thick and tungsten 1.18mm thick along of the crystallographic axes were measured. Also spectral-angular distributions of gamma radiation from the silicon single crystals 1.5mm thick along of the crystallographic axes < 100 >, < 110 > and < 111 > were measured. On the basis of these measurements the γ-radiation spectra for the different solid angles up to 6.97×10⁻⁶ sr were obtained.

Виміряно спектр гамма-випромінювання електронів 1200 МэВ із монокристалів берилію товщиною 1,2 мм, кремнію товщиною 1,5 і 15,0 мм і вольфраму товщиною 1,18 мм вздовж кристалографічних осей. Виміряно також спектрально-кутові розподіли гамма-випромінювання монокристалів кремнію з товщиною 1,5 мм вздовж кристалографічних осей <100>, <110> та <111>. На основі цих вимірів були отримані спектри випромінювання для різних телесних кутів до 6.97×10⁻⁶ стерадіан.

Измерялись спектры гамма-излучения электронов 1200 МэВ из монокристаллов берилия толщиной 1,2 мм, кремния толщиной 1,5 и 15,0 мм и вольфрама толщиной 1,18 мм вдоль кристаллографических осей. Измерены также спектрально-угловые распределения гамма-излучения монокристаллов кремния толщиной 1,5 мм вдоль кристаллографических осей <100>, <110> и <111>. На основе этих измерений были получены спектры излучения для разных телесных углов до 6.97×10⁻⁶ стерадиан.