Влияние магнитной релаксации на перемагничивание молекулярного ферримагнетика K₀,₄[Cr(CN)₆][Mn(R/S)-pn](R/S)-pnH₀,₆

Abstract

Измерена и проанализирована серия кривых перемагничивания хирального молекулярного магнетика K₀,₄[Cr(CN)₆][Mn(R/S)-pn](R/S)-pnH₀,₆, которая позволила обнаружить максимумы на диаграмме перемагничивания образца (First Order Reversal Curves, FORC). Эти максимумы отвечают вкладам доменных стенок и спиновых солитонов. Обнаружено, что повышение температуры от 2 К до 20 К приводит к увеличению интервала между максимумами вдоль оси полей взаимодействия и к доминированию вклада доменных стенок над спиновыми солитонами в перемагничивание образца. Установлено, что диаграмма перемагничивания зависит от релаксации магнитного момента образца в постоянном поле.

Виміряно та проаналізовано серію кривих перемагнічування хірального молекулярного магнетика K₀,₄[Cr(CN)₆][Mn(R/S)-pn](R/S)-pnH₀,₆, яка дозволила виявити максимуми на діаграмі перемагнічування зразка (First Order Reversal Curves, FORC). Ці максимуми відповідають вкладам доменних стінок та спінових солітонів. Виявлено, що підвищення температури від 2 К до 20 К призводить до збільшення інтервалу між максимумами уздовж осі полів взаємодії і до домінування вкладу доменних стінок над спіновими солітонами у перемагнічування зразка. Встановлено, що діаграма перемагнічування залежить від релаксації магнітного моменту в постійному полі.

Series of the reversal magnetization curves of K₀,₄[Cr(CN)₆][Mn(R/S)-pn](R/S)-pnH₀,₆ chiral molecular magnet was recorded and analyzed. Two maxima were found on the diagram of the First Order Reversal Curves (FORC). Possible contributions of the domain walls and magnetic solitons are discussed. The increase of the temperature from 2 K to 20 K leads to increase the distance between two maxima of the FORC diagram along axis of the interaction magnetic field and to the dominance of domain walls over soliton in the reversal magnetization. The FORC diagram depends on magnetic relaxation of the sample in the stationary magnetic field.