HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

Gudina, S.V. ; Arapov, Y.G. ; Neverov, V.N. ; Podgornykh, S.M. ; Popov, M.R. ; Deriushkina, E.V. ; Shelushinina, N.G. ; Yakunin, M.V. ; Mikhailov, N.N. ; Dvoretsky, S.A.

Інші назви: Квантова яма телуриду ртуті з інвертованою зонної структурою: квантовий ефект Холла та великомасштабний домішковий потенціал
Квантовая яма теллурида ртути с инвертированной зонной структурой: квантовый эффект Холла и крупномасштабный примесный потенциал

Тема: Електронні властивості провідних систем

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176079

Посилання: HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential / S.V. Gudina, Y.G. Arapov, V.N. Neverov, S.M. Podgornykh, M.R. Popov, E.V. Deriushkina, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky // Физика низких температур. — 2019. — Т. 45, № 4. — С. 476-483. — Бібліогр.: 47 назв. — англ.

Підтримка: We are grateful to B.I. Shklovskii for valuable remarks. Experiments were carried out at the Collaborative Access Center “Testing Center of Nanotechnology and Advanced Materials” of the M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences. The research was carried out within the state assignment of Russian Ministry of Science and High Education (theme “Electron” No. АААА-А18-118020190098-5) and Complex Program of RAS Ural Branch 18-10-2-6, supported in part by RFBR (projects Nos. 18-02-00172 (samples), 18-32-00382 (experiment) and 18-02-00192 (theoretical support)).

Дата: 2019

Завантажень: 386

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential

Анотація:

We report on the longitudinal and Hall resistivities of a HgTe quantum well with inverted energy spectrum (dQW = 20.3 nm) measured in the quantum Hall (QH) regime at magnetic fields up to 9 T and temperatures 2.9–50 K. The temperature dependence of the QH plateau–plateau transition (PPT) widths and of variable range hopping (VRH) conduction on the Hall plateaus are analyzed. The data are presented in a genuine scale form both for PPT regions and for VRH regime. Decisive role of the long-range random potential (the potential of remote ionized impurities) in the localization–delocalization processes in the QH regime for the system under study is revealed.

Експериментально досліджено поздовжній та холлівський опори в квантовій ямі телуриду ртуті з інвертованим зонним спектром (dQW = 20,3 нм), що виміряні в режимі квантового ефекту Холла (КЕХ) в магнітних полях до 9 Тл та інтервалі температур 2,9–50 К. Проаналізовано температурні залежності ширини переходу між плато КЕХ та провідність зі змінною довжиною стрибка в області плато КЕХ. Дані представлено в універсальній скейлінговій формі як в області переходу між плато, так і в режимі стрибкової провідності. Виявлено вирішальну роль великомасштабного випадкового потенціалу (віддалене легування через спейсер) в процесах локалізації– делокализации носіїв заряду в режимі КЕХ в дослідженій системі.

Экспериментально исследованы продольное и холловское сопротивления в квантовой яме теллурида ртути с инвертированным зонным спектром (dQW = 20,3 нм), измеренные в режиме квантового эффекта Холла (КЭХ) в магнитных полях до 9 Тл и интервале температур 2,9–50 К. Проанализированы температурные зависимости ширины перехода между плато КЭХ и проводимость с переменной длиной прыжка в области плато КЭХ. Данные представлены в универсальной скейлинговой форме как в области перехода между плато, так и в режиме прыжковой проводимости. Выявлена решающая роль крупномасштабного случайного потенциала (удаленное легирование через спейсер) в процессах локализации — делокализации носителей заряда в режиме КЭХ в исследованной системе.

Показати повний запис статті