Проведена оценка эффективной толщины сверхпроводящих слоев YBa₂Cг₃Ox. Объяснена аномально высокая разница между среднеполевой критической температурой и температурой перехода Березинского— Костерлица—Таулесса (БКТ) в однослойных пленках, Y/Pr сверхрешетках и поликристаллических образ цах с разрушенными СuО₂-плоскостями. Прослежена динамика температуры БКТ-перехода с изменением числа наслаиваемых друг на друга элементарных ячеек YBa₂Cг₃Ox. Получена пригодная для ВТСП формула, связывающая темпера гуру БКТ-перехода с сопротивлением образцов на квадрат площади.
Проведено оцінку ефективної товщини надпровідних шарів YBa₂Cг₃Ox. Пояснено аномально високу різницю між середньопольовою критичною температурою і температурою переходу Березинського—Костерліца—Таулесса (БКТ) в одношарових плівках, Y/Pr надгратках і полікристалічних зразках зі зруйнованими площинами CuO₂. Простежено динаміку температури БКТ при зміні кількості елементарних комірок YBa₂Cг₃Ox, які нашаровуються одна на одну. Отримано придатну для ВТНП формулу, що пов’язує температуру БКТ переходу з опором зразків на квадрат площини.
The effective thickness of YBa₂Cг₃Ox superconducting layers is evaluated. The abnormally large difference between the mean-field critical temperature and the temperature of Berezinskii—Kocterlitz—Thouless (BKT) transition in one-unit-cell films, Y/Pr superlattices and polycrystal samples with destroyed CuO₂ planes, is explained. The dynamics of the BKT temperature with varying the number of the layered YBa₂Cг₃Ox unit cells is described. An expression that relates the BKT transition temperature to sample resistance per square area and is appropriate for HTSC is derived.
