Измерены спектры возбуждения фотопроводимости и люминесценции образцов твердого Хе с поверхно
стью, допированной ионами К⁺. На спектрах фотопроводимости как функции длины волны возбуждающего
света обнаружены пики фототока в экситонных позициях, показывающие, что при данных энергиях форми
руются подвижные носители тока на поверхности образца. Этот процесс объясняется захватом экситона на
центрах ХеК⁺ с последующим образованием подвижной дырки в результате реакции с переносом заряда
между экситоном и ионом. Эти подвижные дырки регистрируются как измеряемые фототоки. Проведена
оценка вероятности образования дырки в такого рода процессах. Спектр возбуждения люминесценции авто-
локализованных экситонов в целом совпадает с уже известными, однако для допированных ионами образцов
наблюдается некоторое тушение свечения в высокоэнергетичной части спектра. Этот эффект объясняется
преимущественным развалом слабосвязанных экситонов с n = 2 сильным электростатическим полем в образ
це.
Виміряно спектри збудження фотопровідності та люмінесценції зразків твердого Хе з поверхнею, догюва-
ною іонами К⁺. На спектрах фотопровідності як функції довжини хвилі збуждуючого світла виявлено піки
фототоку в екситонних позиціях, яки виявляють, що при даних енергіях формуються рухомі носії току на
поверхні зразка. Цей процес пояснюється захопленням ексигона на центрах ХеК⁺ з наступним утворенням
рухомої дірки в результаті реакції з переносом заряду між екситоном та іоном. Ці рухомі дірки реєструються
як фототоки, що вимірюються. Проведено оцінку імовірності утворення дірки в такого роду процесах. Спектр
збудження люмінесценції автолокалізованих екситонів в цілому' збігається з вже відомими, однак для допова-
них іонами зразків спостерігається деяке гасіння світіння в високоенергетичній частині спектра. Цей ефект
пояснюється переважним руйнуванням слабкозв’язаних екситонів з n = 2 сильним електростатичним полем
у зразку.
Photoconductivity and luminescence excitation
spectra were measured on solid Xe samples doped at the
surface with К⁺ ions. The photoconductivity spectra
show peaks at ihe excitionic positions indicating, that
movable charges are produced at the surface. The pro
cess is explained by exciton trapping at the XeК⁺
centres and the subsequent formation of a movable hole
due to a charge transfer between the exciton and the
hole. The movable holes are recorded as measurable
photocurrents. 1'he probability of the hole formation is
estimated. The luminescence excitation spectra are si
milar to the known ones with minima at the exciton posi
tions. However, for ion doped samples some quenching
is observed in the high energy part of the spectra. It is
interpreted mainly as high electric field-induced ioniza
tion of the exciiions with n = 2.
