Показано, что характерная для туннельных контактов высокотемпературных сверхпроводников линей
ная зависимость кцндактанса от напряжения может быть обусловлена неупругим рассеянием электронов в
процессе туннелирования не только на флуктуациях спиновой плотности (парамагнонах) в системе спинов с
антиферромагнитными корреляциями, но и на низкочастотных флуктуациях зарядовой плотности (акусти
ческих плазмонах) в системе почти локализованных «тяжелых» носителей заряда в аномально узкой зоне с
высЬкой плотностью состояний вблизи уровня Ферми либо на фононах с очень низкой дебаевской частотой
акустической части спектра и широким оптическим спектром.
Показано, вдо типова для тунельних контактів високотемпературних надпровідників лінійна залежність
кондактанса від напруги може бути обумовлена непружнім розсіюванням електронів у процесі тунелювання
не тільки на флуктуаціях спінової густини (парамагнонах) в системі спінів з антіферомагнітними коре
ляціями, але й на низькочастотних флуктуаціях зарядової густини (акустичних плазмонах) в системі майже
локалізованих «важких» носіїв заряду в аномально вузькій зоні з високою густиною станів поблизу рівня
Фермі або на фононах з дуже низькою дебаївською частотою акустичної частини спектра та широким оптич
ним спектром.
It is shown that the typical linear dependence of the
conductance on voltage for the tunneling contact of the
high Tc superconductors can result from the non-elastic
scattering of electrons not only by spin density fluctua
tions (paramagnons) in the system of the antiferromag-
netically correlated spins, but also by low-frequency
charge density fluctuations (acoustic plasmons) in the
system of nearly lokalized heavy charge carriers in the
anomalously narrow band having the high density of
states near the Fermi level, or by the phonons having a
very low Debay frequency of the acoustic part in the
phonon spectrum and a broad optical spectrum due to
the high frequency oscillations of the light oxygen
atoms.