Система квантовых структур с алмазоподобным углеродным покрытием для кремниевых фотопреобразователей

Abstract

Изучены особенности процесса нанесения аморфного алмазоподобного углеродного покрытия на облученную электронами и тяжелыми многозарядными ионами поверхность кремниевого фотопреобразователя с квантовыми нитями. Приведены экспериментальные результаты исследований оптических характеристик гидрогенизированных алмазоподобных легированных азотом а-С:(Н,N)-покрытий. Выполнена оптимизация параметров осаждения а-С:(Н,N)-покрытий на разупорядоченные структуры кремниевых полупроводников для достижения минимального коэффициента отражения света от фронтальной поверхности кристалла и обеспечения его механической защиты.

Вивчено особливості процесу нанесення аморфного алмазоподібного вуглецевого покриття на поверхню кремнієвого фотоперетворювача із квантовими нитками, яку було опромінено електронами та важкими багатозарядними іонами. Наведено експериментальні результати досліджень оптичних характеристик гідрогенізованих алмазоподібних легованих азотом а-С:(Н,N)-покриттів. Виконано оптимізацію параметрів осадження а-С:(Н,N)-покриттів на розупорядковані структури кремнієвих напівпровідників з метою досягнення мінімального коефіцієнту віддзеркалення світла від фронтальної поверхні кристала та забезпечення його механічної міцності.

The peculiarity of the process of amorphous diamond-like carbon coating deposition on the surface of Si photo-electric cell with quantum filaments, which was irradiated by the electrons and heavy multi-charge ions, have been investigated. The experimental results on the investigations of the optical characteristics of the nitrogen doped hydrogenated diamond-like carbon а-С:(Н,N) coatings were presented. The parameters of the process of а-С:(Н,N) coating deposition on the surfaces of disordered Si semiconductors structures were optimized for the purpose of minimizing optical reflection coefficient from the front surface of the crystal and supplying its mechanical durability.