Исследована микротвердость тонких кристаллических пленок моноантимонида тербия, приготовленных на различных подложках: плавленый кварц, монокристаллический кремний, ситалл, сапфир. Пленки приготовлены методом дискретного вакуумно-термического испарения, предварительно синтезированного объемного материала. Проведено исследование микротвердости приготовленных пленок на ультрамикротвердомере DUH-211S с индентором Виккерса. Показана, что микротвердость пленок зависит как от глубины индентирования так и от материала подложки.
Досліджено мікротвердість тонких кристалічних плівок моноантимоніду тербію, приготовлених на різних підкладинках: плавлений кварц, монокристалічний кремній, ситалл, сапфір. Плівки приготовлені методом дискретного вакуумно-термічного випаровування, попередньо синтезованого об’ємного матеріалу. Проведено дослідження мікротвердості приготовлених плівок на ультрамікротвердомірі DUH-211S з індентором Віккерса. Доведено, що мікротвердість плівок залежить як від глибини індентування так і від матеріалу підкладинки.
The microhardness of the thin crystal films of monoantimonide of terbium prepared on various substrates is investigated: fused silica, monocrystal silicon, polycrystalline glass. sapphire. Films are prepared by method of discrete vacuum-thermal evaporation of the beforehand synthesized volume material. The research of a microhardness of the prepared films on an ultra microhardness gage of DUH-211S is conducted by Vikkers's indentor. It is shown that the microhardness of films depends both on depth of a dimpling and on substrate material.
