Исследовано влияние температуры (Т = 77–350 K), напряженности магнитного поля (Н = 0–8 kOe) и высокого гидростатического давления (ВГД P = 0–1.8 GPa) на электросопротивление ρ манганит-лантановых керамических и пленочных образцов La₀.₆Mn₁.₄O₃, которые были аттестованы рентгеноструктурным и ЯМР-методами. Вблизи температуры фазового перехода металл−полупроводник (Tms) обнаружены магнито- и барорезистивные эффекты (МРЭ, БРЭ). Показано, что увеличение Н и P приводит к уменьшению ρ и соответственно к увеличению МРЭ и БРЭ керамических и пленочных образцов. Определена энергия активации электропроводности в полупроводниковой области для исследуемых образцов. Сравнительно низкие значения энергии активации объяснены высокой дефектностью кристаллической решетки манганит-лантановой перовскитовой структуры. Близкий к линейному характер барической зависимости сопротивления позволяет использовать манганит-лантановые образцы в качестве датчиков давления.
The influence of temperature (Т = 77–350 K), magnetic field strength (Н = 0–8 kOe) and high hydrostatic pressure (Р = 0–1.8 GРa) on electrical resistance ρ of ceramic and film manganite-lanthanum samples La₀.₆Mn₁.₄O₃ was investigated. The samples have been tested by X-ray diffraction and NMR methods. Magneto- and baroresistive effects (MRE, BRE) were revealed near the temperature point of metal−semiconductor phase transition (Tms). It was shown that the increase in H and P decreases ρ and, consequently, increases MRE and BRE for ceramic and film samples. The activation energy of electrical conductivity for semiconductive area was defined for the investigated samples. The low values of the activation energy were explained by high defects of the crystal lattice of perovskites and by the co-existence of several mechanisms of conductance. Almost linear character of the pressure dependence of resistance makes it possible to use the manganite-lanthanum samples as pressure gauges.