Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment

Abstract

Изучено влияние низкотемпературной деформации с одновременным ультразвуковым (УЗ) облучением на рекомбинационные свойства и проводимость приповерхностных слоев Ge. Деформация при 300 K вызывает зарождение дислокаций и точечных дефектов (ТД) в приповерхностном слое, где проявляется донорное действие деформации и снижается время жизни неравновесных носителей заряда. Термообработка кристаллов в интервале 400−900 K сопровождается генерацией дислокаций на гетерогенных источниках в более глубоких слоях и отжигом ТД.

Influence of low-temperature deformation with simultaneous ultrasonic (US) irradiation on recombination properties and conductivity of Ge subsurface layers was studied. Deformation at 300 K causes arising of dislocations and point defects (PD) in the subsurface layer where the donor effecting of deformation becomes apparent and the lifetime of nonequilibrium charge carriers is reduced. Thermal treatment of chips in the interval 400−900 K is accompanied by generation of dislocations on heterogeneous sources in more deep layers and by the annealing of PD.