Приведено основні принципи створення на базі вакуумного універсального поста ВУП-5(М) та подальшого використання плазмохімічного устаткування для осадження тонкоплівкових, у тому числі наношарових, матеріалів із парів зазвичай рідких прекурсорів. Метод можна класифікувати як осадження в газовому середовищі, активоване радіочастотною плазмою Е-типу в системах з безперервним потоком (метод відкритої труби). Устаткування універсальна до вибору прекурсору та має достатній набір технологічних параметрів, що дає можливість осаджувати широкий спектр покриттів з контрольованою товщиною від 1 до 2000 нм. Плазмохімічне устаткування вигідно доповнює набір технічних можливостей ВУП-5(М) і розширює його експлуатаційні характеристики без суттєвого втручання в конструкцію.
Приведены основные принципы создания на базе вакуумного универсального поста ВУП-5(М) и дальнейшего использования плазмохимического оборудования для осаждения тонкопленочных, в том числе и наношаровых материалов из паров в основном жидких прекурсоров. Метод можно классифицировать как осаждения в газовой среде, активированной радиочастотной плазмой Е-типа в системах с непрерывным потоком (метод открытой трубы). Установка универсальная к выбору прекурсора и имеет достаточный набор технологических параметров, что позволяет осаждать широкий спектр покрытий с контролируемой толщиной от 1 до 2000 нм. Плазмохимическое оборудование выгодно дополняет набор технических возможностей ВУП-5(М) и расширяет его эксплуатационные характеристики без существенного вмешательства в конструкцию.
The paper describes the main design principles of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) equipment based on a Mod. VUP-5(M) universal vacuum pumping station, and the application of such equipment for deposition of thin films, including nanolayered ones, from vapors of usually liquid precursors. The method can be classified as PECVD in a gas atmosphere activated by E-type radio-frequency (RF) plasma in continuous flow systems (the open-tube method). The equipment is universal in terms of the types of precursors to be used and has a sufficient set of process variable in order to provide deposition of a wide range of coatings with a controlled thickness from 1 to 2000 nm. The PECVD equipment favorably supplements the VUP-5(M) functionalities and extends performance without any significant alteration of its design.
