Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

Гаврилюк, О.О. ; Клименко, В.Є. ; Семчук, О.Ю.

Інші назви: Temperature dependence of surface state parameters of metal-insulator-semiconductor structures
Температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл-диэлектрик-полупроводник

Тема: Теория химического строения и реакционной способности поверхности. Моделирование процессов на поверхности

УДК: 537:539

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148893

Посилання: Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник / О.О. Гаврилюк, В.Є. Клименко, О.Ю. Семчук // Поверхность. — 2012. — Вип. 4 (19). — С. 52-56. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Підтримка: Автори вдячні Н.С. Кравчук за пліднео бговорення та Я.М. Гнелиці за допомогу у проведенні експериментальних досліджень.

Дата: 2012

Завантажень: 237

Температурна залежність параметрів поверхневих станів структури метал–діелектрик–напівпровідник

Анотація:

Досліджена температурна залежность параметрів поверхневих станів структури метал-діелектрик-напівпровідник на високих частотах. Фазометричним методом досліджено імпеданс вбудованого каналу безкорпусного планарного польового транзистора з двома ізольованими затворами.

Investigation temperature dependence of surface states parameters o metal-insulator-semiconductor are calculated a the high frequencies. The impedance of a built-channel bodiless planar field-effect transistor with two isolated gates are studied by a phase metrical method.

Исследована температурная зависимость параметров поверхностных состояний структуры металл–диэлектрик–полупроводник на высоких частотах. Фазометрическим методом исследован импеданс встроенного канала беcкорпусного планарного полевого транзистора с двумя изолированными затворами.

Показати повний запис статті