Формування ростових умов для одержання структурно досконалих монокристалів алмазу методом температурного градієнту при високих тисках

Abstract

Для отримання структурно досконалих алмазів в залежності від складу ростової системи необхідно підтримувати тиск та температуру 5–8 ГПа та 1200–1700 °С відповідно. Оптимальні швидкості росту монокристалів досягають до 8–10 мг/год (тип Іb), 1–2,5 мг/год (тип IIа), 2–4 мг/год (тип IIb). В залежності від конструкції апарату високого тиску та властивостей матеріалів контейнеру визначено гранично допустимі значення температур, при яких можливе збереження стабільності умов вирощування.

Для получения структурно совершенных алмазов в зависимости от состава ростовой системы необходимо поддерживать давление и температуру 5–8 ГПа и 1200–1700 °С, соответственно. Оптимальные скорости роста монокристаллов достигают до 8–10 мг/ч (тип Ib), 1–2,5 мг/ч (тип IIа), 2–4 мг/ч (тип IIb). В зависимости от конструкции аппарата высокого давления и свойств контейнера определены предельно допустимые значения температур, при которых возможно сохранение стабильности условий выращивания.

In depending on the composition of the growth system, structurally perfect diamonds obtaining in pressure and temperature region 5 to 8 GPa and 1200 to 1700 °С, respectively. Single crystals growth rates reach up to 8–10 mg/h (type Ib), 1–2,5 mg/h (type IIa), 2–4 mg/h (type IIb). The maximum permissible values of temperatures at which persist stable conditions of cultivation in design depending of the apparatus of high pressure and container materials properties is determined,.