To study the optically induced transformation of the point defect system under strong ans weak excitation from the intrinsic absorption hv > Eg, photoelectric and electric properties of semiconductor solid solutions С₁-хМnхТе (x = 0.08 + 0.1) have been studied at
78 and 300 K. It has been found that the weak optical excitation (hv - 2 eV) under simultaneous fast chilling down to 78 К results in a dramatic drop of the photocurrent and increase of the crystal dark resistance by more than a decimal order. The crystal photosensitivity is recovered in part by ultrasonic annealing or after a prolonged exposure at room temperature. A possible mechanism of that effect is discussed associated with the photoinduced ionization of manganese ions. The pulse laser irradiation ( λ = 694 nm,
τl = 20 ns) at an under-threshold power results in photosensitization of the Cd₁-хMnxTe crystals not only in the irradiation zone but also in the control region.
С целью исследования оптически индуцированной трансформации системы точечных дефектов в условиях сильного и слабого возбуждения из области собственного поглощения hv > Eg изучались фотоэлектрические и электрические свойства полупроводниковых твердых растворов С₁-хМnхТе (х = 0.080 + 0.1) при Т = 78 К и Т = 300 К.
Было обнаружено, что в результате слабого оптического возбуждения (hv ~ 2 эВ) при одновременном быстром охлаждении до Г = 78 К происходит катастрофическое падение фототока и рост темнового сопротивления кристаллов более чем на порядок. Фоточувствительность кристаллов частично восстанавливалась в результате ультразвукового отжига или после длительной выдержки при комнатной температуре. Обсуждается возможный механизм наблюдаемого эффекта, связанный с фотоионизацией ионов марганца. Обработка импульсным лазерным излучением (λ = 694 nm, τl = 20 ns) допороговой мощности приводила к фотоочувствлению кристаллов Cd₁-хMnxTe не только в зоне облучения, но и в контрольной области образцов.
З метою дослідження оптично індукованої трансформації системи точкових дефектів в умовах сильного і слабкого збудження з області власного поглинання hv > Eg вивчалися фотоелектричні та електричні властивості напівпровідникових твердих розчинів С₁-хМnхТе (х = 0.08 + 0.1) при Т = 78 К і Т = 300 К. Виявлено, що в результаті слабкого оптичного збудження (hv - 2 eV) при одночасному швидкому охолодженні до Т = 78 К відбувається катастрофічне падіння фототока, а темповий опір кристалів підвищується більш ніж на порядок. Фоточутливість кристалів частково відновлювалася в результаті ультразвукового відпалу або після тривалої витримки при кімнатній температурі. Обговорюється можливий механізм ефекту, що спостерігається, пов’язаний із фотоіонізацією іонів марганцю. Обробка імпульсним лазерним випромінюванням (λ = 694 нм, тl = 20 ns) допорогової потужності приводила до росту фоточут-ливості кристалів Cd₁-хMnxTe не тільки в зоні опромінення, але й у контрольній області зразків.
