Electrophysical properties of metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped zinc selenide crystals

Abstract

Electric capacitance C and dielectric losses tgδ have been determined for metal-semiconductor-metal structures based on isovalently doped ZnSe crystals. It has been shown that annealing of the grown crystals in zinc atmosphere causes the increase of C by 2-3 orders of magnitude. This parameter, as well as tgδ becomes dependent upon the bias voltage U, with regions of negative and of positive slope observed on the C(U) plots. It has been shown that dependences C(U) and tgδ(U) are determined by changes with voltage in the two oppositely switched Schottky barriers.

Исследованы электроемкость C и тангенс угла диэлектрических потерь tgδ структур металл-полупроводник-металл на основе изовалентно легированных кристаллов ZnSe. Установлено, что отжиг кристаллов в атмосфере цинка обусловливает увеличение C на 2-3 порядка. Параметры C и tgδ становятся зависящими от смещающего напряжения U, причем в зависимости C(U) наблюдаются участки как с отрицательным, так и с положительным наклоном. Показано, что зависимости C(U) и tgδ(U) определяются изменением с напряжением двух, включенных навстречу друг другу, барьеров Шоттки.

Досліджєно єлєктроємність C и тангенс кута дієлєктричних втрат tgδ структур метал-напівпровідник-метал на основі ізовалентно легованих кристалів ZnSe. Встановлено, що відпал кристалів у середовищі цинку обумовлює збільшення C на 2-3 порядки. Параметри C i tgδ стають залежними від зміщуючої напруги U, причому в залежності C(U) спостерігаються області як з негативним, так і з позитивним нахилом. Показано, що C(U) i tgδ(U) визначаються залежністю від напруги двох бар’єрів Шоттки, що ввімкнено назустріч один одному.