На основе исследований эффекта Шубникова-де Гааза на СВЧ и нерезонансного циклотронного поглощения в твердом растворе полумагнитного полупроводника Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe непосредственно установлено наличие в его зоне проводимости резонансных акцепторных состояний, обусловленных вакансиями ртути двух типов. Зависимость энергии основного состояния этих акцепторов от величины запрещенной зоны согласуется с теоретическими представлениями о дальнодействующем кулоновском потенциале вакансий ртути.
На основі досліджень ефекту Шубнікова —де Гааза на НВЧ та нерезонансного циклотронного поглинання в твердому розчині напівмагнітного напівпровідника Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe безпосередньо установлено наявність в його зоні провідності резонансних акцепторних станів, обумовлених вакансіями ртуті двох типів. Залежність енергії основного стану цих акцепторів від величини забороненої зони узгоджується з теоретичними уявленнями про далекодіючий кулонівський потенціал вакансій ртуті.
Investigations of the Shubnikov-de Haas effect at microwave frequencies and of the nonresonance cyclotron absorption in the solid solution of semimagnetic semiconductor Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe give direct evidence of the existence of resonance acceptor states conditioned by mercury vacancies of two types, in the conduction band of the material. The dependence of the ground state energy of these acceptors on the energy gap is in agreement with theoretical concepts of the long-range Coulomb potential of the mercury vacancies.