The influence of thermal conditions on perfection in GaₓIn₁-ₓSb single crystals

Abstract

The influence of the temperature gradient on the appearance of macro-cracks in growing GaₓIn₁-ₓSb single crystals by Czocralski method is shown. The decrease of axial temperature gradient dT/dz to 15 K/cm and radial dT/dx to 5 K/cm has allowed obtaining the single crystals without the cracks. The thermal field in Ga₀.₀₃In₀.₉₇Sb single crystal grown with use of experimental values of the temperature gradients is calculated.

Показано вплив градiєнта температури у твердiй фазi на утворення трiщин пiд час вирощування монокристалiв твердих розчинiв GaₓIn₁-ₓSb методом Чохральського. 3меншення осьового градiєнта температури у твердiй фазi dТ/dz до 15 K/cм i радiального dТ/dx до 5 K/cм дозволило витягувати монокристали без трiщин. Розраховано теплове поле у монокристалах твердих розчинiв Ga₀.₀₃In₀.₉₇Sb у процесi росту з використанням експериментальних значень градiєнтiв температури.

Показано влияние градиента температуры в твердой фазе на трещинообразование при выращивании монокристаллов твердых растворов GaₓIn₁-ₓSb методом Чохральского. Уменьшение осевого градиента температуры в твердой фазе dТ/dz до 15 K/cм и радиального dТ/dx до 5 K/cм позволило вытягивать монокристаллы без трещин. Расcчитано тепловое поле в монокристаллах твердых растворов Ga₀.₀₃In₀.₉₇Sb в процессе роста с использованием экспериментальных значений градиентов температуры.