Встановлено взаємозв’язок між полем механічних напружень та зсувом електродного потенціалу на контурі еліптичного наскрізного вирізу, заповненого середовищем, який дає можливість у граничному випадку оцінювати зміщення електродного потенціалу, обумовленого напружено-деформованим станом в околі вершини еліптичної тріщини. Для цього чисельно розв’язано систему рівнянь типу Гельмгольца і встановлено відхилення електричних та електродного потенціалів під дією зовнішніх механічних зусиль від аналогічних за їх відсутності. Оцінено катодні та анодні ділянки, зініційовані полем напружень на межі еліптичного отвору зі середовищем.
Установлена взаимосвязь между полем механических напряжений и смещением электродного потенциала на контуре эллиптического сквозного выреза, заполненного средой. Такая взаимосвязь позволяет в граничном случае оценить смещение электродного потенциала, обусловленное напряженно-деформированным состоянием в окрестности вершины эллиптической трещины. Для решения задачи выполнено численную процедуру реализации системы уравнений типа Гельмгольца, на основании чего выявлено отклонение электрических и электродного потенциалов при воздействии внешних механических усилий от аналогичных при их отсутствии, а также оценены катодные и анодные участки, вызванные полем напряжений на границе эллиптического отверстия со средой.
Interrelation between the field of mechanical stresses and displacement of electrode potential on the contour of an elliptic through cut filled with environment is established. Such interrelation allows us in a boundary case to estimate the displacement of the electrode potential conditioned by the stress-strain state in the vicinity of the elliptic crack tip. For the problem solution a numerical procedure of realization of the system of Helmholts equations is done, on the basis of which the deviation of the electric and electrode potentials under effect of external mechanical forces from the similar ones, when the last are absent, was found. Cathode and anode regions, caused by the stress field at the border of elliptic hole and environment, are evaluated.
