Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів

Abstract

Дослiджено п’єзоопiр γ-опромiнених кристалiв n-Si за умови, коли X||J|| [111]. Визначено величину змiни енергетичної щiлини мiж глибоким енергетичним рiвнем EC – 0,17 еВ i долинами зони провiдностi n-Si при одновiснiй деформацiї вздовж кристалографiчного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографiчного напрямку баричний коефiцiєнт змiни енергетичної щiлини є незначним, оскiльки змiщення самого глибокого рiвня EC – 0,17 еВ i долин зони провiдностi n-Si при деформацiї є практично однаковими за величиною.

Исследовано пьезосопротивление -облученных кристаллов n-Si при условии, когда X||J|| [111]. Определено изменение величины энергетического зазора между глубоким энергетическим уровнем EC – 0,17 эВ и долинами зоны проводимости n-Si при одноосной деформации вдоль кристаллографического направления [111]. Показано, что для данного кристаллографического направления барический коэффициент изменения энергетического зазора является незначительным, поскольку сдвиги самого глубокого уровня EC – 0,17 эВ и долин зоны проводимости n-Si при деформации практически одинаковы по величине.

The piezoresistance of -irradiated n-Si crystals is studied in the case where X||J|| [111]. A change of the energy gap between the deep energy level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si arising due to a uniaxial deformation along the crystallographic direction [111] is determined. It is shown that, for this crystallographic direction, the baric coefficient of a change of the energy gap is insignificant, since the shifts of the deepest level EC – 0.17 eV and the conduction band valleys in n-Si under deformation are practically identical.