Гетероструктури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в якості фотоелектричних перетворювачів

Abstract

У роботі одержано плівки ZnO:Al на поруватих напівпровідникових підкладинках CdTe методою золь–ґель із наступним центрифуґуванням. Одержані структури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe та безпосередньо плівки досліджувалися за допомогою сканувальної електронної мікроскопії та рентґенівської дифракції. За допомогою рентґеноспектральної мікроаналізи було визначено хемічний склад і проведено фазову аналізу одержаних гетероструктур. Розглянуто можливість застосування гетероструктур n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в якості фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії.

В работе получены плёнки ZnO:Al на пористых полупроводниковых подложках CdTe методом золь–гель с последующим центрифугированием. Полученные структуры n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe и непосредственно плёнки исследовались с помощью сканирующей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. С помощью рентгеноспектрального микроанализа были определены химический состав и проведён фазовый анализ полученных гетероструктур. Рассмотрена возможность применения гетероструктур n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в качестве фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии.

The ZnO:Al film on porous semiconductor CdTe substrates is obtained by sol–gel processing followed by centrifugation. The obtained structures of the n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe films are investigated using scanning electron microscopy and x-ray diffraction. Using x-ray microanalysis, a chemical composition is determined, and a phase analysis of obtained heterostructures is carried out. The application possibility for the n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe heterostructures as solar-energy photovoltaic cells is considered.