Нижние критические поля текстурированных высокотемпературных сверхпроводников. III. Экспериментальное изучение анизотропии полей Hc₁ ВТСП YBa₂Cu₃O₇-d

Abstract

Изучена зависимость критических токов Ic текстурированных образцов ВТСП YBa₂Cu₃O₇₋d (T = 77,3 К) от напряженности предварительно приложенного внешнего магнитного поля Hext при различных углах между направлением поля и исследуемым образцом. На основе полученной угловой зависимости Ic(H) с помощью развитой в работе методики определены значения нижних критических полей Hc₁ ВТСП YBa₂Cu₃O₇₋d в направлении главной оси орторомбической решетки Hc1ab = 89 Э и в перпендикуляром направлении Hc¹c = 383 Э; отношение эффективных масс электрона mc/mab=18,5.

The dependence of the critical currents IcIc of textured samples of the HTSC YBa₂Cu₃O₇₋δ (T=77.3 K) on the value of an external magnetic field HextHext applied beforehand is investigated for various angles between the field direction and the sample. By a technique developed in the present study the measured angular dependence of Ic(H)Ic(H) is used to determine the values of the lower critical fields Hc₁ of the HTSC YBa₂Cu₃O₇₋δ in two directions: the direction of the principal axis of the orthorhombic lattice, Habc₁=89 Oe, and in the perpendicular direction, Hc₁c=383 Oe; the ratio of the effective masses of the electron in the two directions is mc/mab=18.5.