Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Журнал физики и инженерии поверхности
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2017, том 2
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2017, № 1
→
Переглянути статтю

Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе

Йулдашев, Х.Т. ; Ахмедов, Ш.С. ; Рустамов, У.С. ; Эргашев, К.М.

Інші назви: Дослідження фонового випромінювання та можливості його обмеження в напівпровідниковій іонізаційній системі
Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system

УДК: 621.393.3:621.382:621.385

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122610

Посилання: Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе / Х.Т. Йулдашев, Ш.С. Ахмедов, У.С. Рустамов, К.М. Эргашев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 47-51. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Дата: 2017

Завантажень: 463

Исследование фонового излучения и возможности его ограничения в полупроводниковой ионизационной системе

Анотація:

В статье приводятся результаты экспериментальных исследований явления в плоской газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показана возможность ограничения фона, который является препятствием для повышения контрастности выходного изображения.

У статті наводяться результати експериментальних досліджень явища в плоскій газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Показана можливість обмеження фону, який є перешкодою для підвищення контрастності вихідного зображення.

Results of experimental exploration phenomenon in plane gas discharge cell with semiconductor electrode reduces in the article. Possibility of limitation of background, which appears the hindrance for raising of contrast gratuity representation was shown.

Показати повний запис статті