Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, том 18
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
Інший ID:
DOI: 10.15407/spqeo18.02.220
PACS 61.80.-x
PACS 61.80.-x
Посилання:
Radiation-stimulated processes in silicon structureswith contacts based on TiN / M.U. Nasyrov, A.B. Ataubaeva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 220-225. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.
Дата:
2015
Переглядів:
685
Завантажень:
378
Анотація:
The influence of irradiation on the structural properties of titanium nitride films deposited on silicon wafers has been considered. It has been shown that depending on the energy, fluence and type of irradiation ion, observed are the increase of accumulated damages with decreasing the grain size, the grain size reduction with increasing the fluence, the increase of dislocation density and microstrains.
