Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Optical properties of p-type porous GaAs
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Optical properties of p-type porous GaAs
Інший ID:
PACS 61.10.Kw, 78.55.Cr, 78.55.Mb, 79.60.Dp
Посилання:
Optical properties of p-type porous GaAs / V.V. Kidalov, L. Beji, G.A. Sukach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 118-120. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
Підтримка:
This work performed under the financial support of
SFFI of Ukraine, grant 04.07/256.
Дата:
2005
Переглядів:
814
Завантажень:
398
Анотація:
Samples of p-type porous GaAs was obtained by electrochemical anodization of (100) oriented p-type GaAs. The formation of porous structure has been confirmed by Raman spectroscopy and scanning electron microscopy investigations. The low-frequency Raman shift of the peaks conditioned by the main optical phonons was observed in the Raman spectra of the porous GaAs. Estimation of the size of nanocryslallites in porous GaAs both by Raman shift and scanning electron microscopy gives approximately the same values and was about 10-20 nm. Photoluminescence investigations of porous GaAs exhibit the presence of two infrared and one visible bands.
