Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate
Інший ID:
PACS 68.35.-p, 73.20.-r
Посилання:
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate / V.A. Odarych, A.Z. Sarsembaeva, F.F. Sizov, M.V. Vuichyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 55-59. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2005
Переглядів:
756
Завантажень:
326
Анотація:
Properties of cadmium telluride films on silicon substrate, distribution of thickness and refraction index over the sample area were investigated by the ellipsometric method. It was ascertained that the refraction index of cadmium telluride films on a silicon substrate was considerably less than that of monocrystalline CdTe and depends on the film thickness, increasing with the thickness growth.
