Представлены результаты экспериментального исследования в температурном интервале
4,2–300 К удельного электросопротивления (ρ) и термоэдс образцов электротехнической меди,
подвергнутых пластической деформации при комнатной температуре. Обнаружен ряд коррелирующих
между собой аномалий на температурных зависимостях ρ и термоэдс, связанных с дислокациями.
Вероятная причина этих аномалий — резонансное рассеяние свободных электронов
и тепловых фононов на локализованных вблизи дислокаций электронах.
Представлено результати експериментального дослідження в температурному інтервалі
4,2–300 К питомого електричного опору (ρ) та термоерс зразків електротехнічної міді, що
підлягала пластичної деформації при кімнатній температурі. Виявлено ряд корелюючих між
собою аномалій на температурних залежностях ρ та термоерс, пов’язаних з дислокаціями.
Імовірною причиною цих аномалій є резонансне розсіювання вільних електронів та теплових
фононів на локалізованих поблизу дислокацій електронах.
Electric resistivity, ρ, and thermoelectromotive
force (TEMF) of commercial Cu samples subjected
to plastic strain at room temperature were measured
at temperatures ranged from 4.2 to 300 K. A
number of mutually correlated dislocation-induced
anomalies were detected in the temperature dependences
ρ and TEMF. It is likely that the anomalies
are caused by the resonance scattering of free
electrons and thermal phonons by dislocation-localized
electrons.