Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons

Репозиторій DSpace/Manakin

Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис