Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла

Abstract

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Тл и температур T = 0,05–70 К, до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато КЭХ и получены сведения о температурной зависимости ширины полосы делокализованных состояний вблизи середины подзон Ландау в режиме КЭХ.

Експериментально досліджено подовжнє ρxx(B) та холлівське ρxy(B) магнітоопори в режимі цілочисельного квантового ефекту Холла (КЕХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою і подвійною квантовими ямами в діапазоні магнітних полів В = 0–16 Tл і температур Т = 0,05–70 К, до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато КЕХ та отримано дані про температурну залежність ширини смуги делокалізованих станів поблизу середини підзон Ландау в режимі КЕХ.

Temperature and magnetic-field dependences of longitudinal ρxx(B,T) and Hall ρxy(B,T) resistivities of n-InxGa1−xAs/GaAs nanostructures with single and double quantum wells are investigated in the quantum Hall effect (QHE) regime at B = 0–16 Т and T = = 0.05–70 K, before and after IR illumination. The temperature dependence of the QHE plateau-to-plateau transition width are analyzed and information about temperature dependences of the width of delocalized state stripes in the center of Landau subbands is obtained.