Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Simple method for SiC nanowires fabrication
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, том 14
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Simple method for SiC nanowires fabrication
Інший ID:
PACS 81.07.Gf
Посилання:
Simple method for SiC nanowires fabrication/ V.S. Kiselov, O.S. Lytvyn, V.O. Yukhymchuk, A.E. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 1. — С. 7-11. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
Дата:
2011
Переглядів:
711
Завантажень:
568
Анотація:
In this work, we introduce a simple and convenient approach for growing SiC nanowires (SiCNWs) directly on carbon source from graphite. The commercial SiO powder and the cheap common graphite were used as the source materials. SiCNWs have been synthesized during holding time less than 60-80 min at 1450-1500 °C by using a simple and low-cost method in an industrial furnace with a resistant heater.
