Высокий и узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости недавно был обнаружен
в экспериментах на двухслойных электронных системах в режиме квантового эффекта Холла
при суммарном заполнении уровней Ландау T 1. Этот пик является следствием фазовой когерентности,
которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации электронно-дырочных пар с компонентами,
принадлежащими разным слоям. Рассмотрено влияние параллельного магнитного поля на
туннельную проводимость двухслойных систем малых размеров. Показано, что при конечных температурах
зависимость высоты пика туннельной проводимости от магнитного поля имеет вид, подобный
картине дифракции Фраунгофера.
Високий і вузький пік міжшарової диференційної тунельної провідності нещодавно було відкрито
в експериментах на двошарових електронних системах у режимі квантового ефекту Холла при сумарному
заповненні рівнів Ландау T 1. Цей пік є наслідком фазової когерентності, котра встановлю
ється у системі завдяки бозе-конденсації електронно-діркових пар з компонентами, що належать
різним шарам. Розглядається вплив паралельного магнітного поля на тунельну провідність двошарових
систем малих розмірів. Показано, що при скінчених температурах залежність висоти піку тунельно
ї провідності від магнітного поля має вигляд, подібний до картин дифракції Фраунгофера.
A high and narrow peak of interlayer differential
tunneling conductance has been recently
found in the experiments on quantum Hall bilayer
electron systems at the total Landau level filling
factor T 1. This peak is a result of the interlayer
phase coherence that occurs in the system due to
the Bose condensation of electron-hole pairs with
the components belonging to different layers. In the
paper the influence of parallel magnetic field on
tunneling conductivity of small-size double-layer
systems is considered. It is shown that at finite
temperatures the magnetic field dependence of the
peak height has a form similar to the Fraunhofer
diffraction picture.
