В настоящей работе исследовано влияние модификации поверхности подложек ZnSe:Te на их спектры люминесценции и оптического пропускания. Путем травления подложек ZnSe:Te в растворах CrO₃:HCl=2:1 и H₂SO₄:H₂O₂=3:1 были получены образцы с зеркальной и матовой поверхностями соответственно. Установлено, что для образцов с матовой поверхностью характерно существенное увеличение эффективности голубой полосы люминесценции, а также появление излучения в той области энергии фотонов, где она больше ширины запрещенной зоны селенида цинка.
Досліджено вплив модифікації поверхні підкладок ZnSe:Te на їх спектри люмінесценції та оптичного пропускання. Шляхом травлення підкладок ZnSe:Te в розчинах CrO₃:HCl=2:1 та H₂SO₄:H₂O₂=3:1 були отримані зразки із дзеркальною і матовою поверхнями відповідно. Встановлено, що для зразків з матовою поверхнею характерно істотне збільшення ефективності блакитної смуги люмінесценції, а також поява випромінювання в тій області енергії фотонів, де вона більше ширини забороненої зони селеніду цинку.
The authors have experimentally established, that etching of ZnSe:Te substrates in CrO₃:HCl=2:1 and H₂SO₄:H₂O₂=3:1 solutions leads to formation of mirror and matte surfaces. Analysis of the topogram obtained by an atomic power microscope showed that matte surface is a set of equally oriented pyramids with basis size 2-5 μm and each of them is association of nanopyramids with 10-100 nm lateral size. In such samples wide photoluminescence band at 2.7-3.8 eV is a result of dimensional quantization in smaller nanocrystals. The latter also causes an observed decrease of transmission coefficient of substrates with matte surface in comparison to those with mirror surface owing to increase of light scattering processes.