Исследовалось влияние газостатической обработки на электрофизические свойства структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения. Обработка проводилась в лабораторной газостатической установке ГАУС-4/2000-35 по режиму: 0,32 ± 0,02 ГПа, ~ 170 °С, 2 ч. Определено влияние обработки на электросопротивление, вольт-амперные и детектирующие характеристики исследуемых структур.
Досліджувався вплив газостатичної обробки на електрофізичні властивості структур Au-CdZnTe-Au для детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання. Обробка проводилася в лабораторній газостатичній установці ГАУС-4/2000-35 по режиму: 0,32 ± 0,02 ГПа, ~ 170 °С, 2 год. Визначено вплив обробки на електроопір, вольт-амперні і детектуючі характеристики досліджуваних структур.
The influence of gas-static processing on electrophysical properties of Au-CdZnTe-Au structures for X-ray and gamma-ray detectors was investigated. The processing was conducted in laboratory-scale plant GAUS-4/2000-35 according to regime (0,32 ± 0,02 GPa, ~ 170 °С, 2 h). Influence of gas-static processing on electric resistance, J-V characteristics and spectrometric parameters of Au-CdZnTe-Au structures was determined.