Импульсным методом в интервале доз облучения 0…400 Р в области частот 37,5…232,5 МГц при комнатной температуре исследован дислокационный резонанс в монокристаллах LiF с остаточной деформацией ε = 0,4 %. На основе анализа полученных данных было установлено, что в условиях облучения кристаллов существенно изменяется лишь частотная и амплитудная локализации дислокационного резонанса вследствие изменения средней эффективной длины дислокационного сегмента, а величина коэффициента вязкости В остается неизменной.
Імпульсним методом в інтервалі доз опромінення 0…400 Р в області частот 37,5…232,5 МГц при кімнатній температурі досліджено дислокаційний резонанс у монокристалах LiF із залишковою деформацією ε = 0,4 %. На основі аналізу отриманих даних було встановлено, що в умовах опромінення кристалів істотно змінюється лише частотна і амплітудна локалізація дислокаційного резонансу через змінення середньої ефективної довжини дислокаційного сегмента, але величина коефіцієнта в'язкості В залишається незмінною.
The dislocation resonance has been studied in LiF crystals with residual deformations ε = 0,4 % in the interval of irradiation doses 0…400 R in the range of frequencies of 37,5…232,5 MHz at a room temperature using the pulsed technique. Basing on the analysis of the obtained results were determined that the damping factor B is not change in the conditions of crystals irradiation but the frequency and amplitude localization of the dislocation resonance are changed noticeably in these conditions because of change of average effective length of dislocation segment.