Приёмник излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на горячих электронах

Abstract

Предложен болометрический приемник на горячих носителях заряда (электронах) миллиметрового и субмиллиметрового излучений с прямым детектированием сигналов, функционирующий при комнатной или пониженной температурах, при которых еще существует в нем биполярная проводимость. Функционирование приемника основано на изменении проводимости под действием излучения в биполярной плазме узкощелевого полупроводника. Выполненные эксперименты продемонстрировали возможность регистрации излучения таким приемником излучения при 300 К и частотах излучения = 0,036, 0,039, 0,055, 0,075, 0,89 и 1,58 ТГц, а также при понижении температуры до -80 С.

Запропоновано болометричний приймач на гарячих носіях заряду міліметрового та субміліметрового випромінювань з прямим детектуванням сигналів, який функціонує при кімнатних або понижених температурах, при яких ще існує в ньому біполярна провідність. Функціювання приймача базується на зміні провідності під впливом випромінювання в біполярній плазмі вузькощілинного напівпровідника. Проведені експерименти продемонстрували можливість реєстрації випромінювання таким приймачем при 300 К та частотах випромінювання = 0,036, 0,039, 0,055, 0,075, 0,89 та 1,58 ТГц, а також при зниженні температури до -80 С.

A bolometric receiver of the millimeter and submillimeter radiation on hot charge carriers (electrons) with the direct detecting of signals is proposed. The device is functioning at room and lower temperatures at which the biopolar conductivity still exists in it. Operation of the receiver is based on changing the conductivity under the influence of radiation in biopolar plasma of a nallow-slot semiconductor. The experiments which have been carried out demonstrate the possibility to record the radiation by using this receiver at 300 K and the radiation frequencies = 0,036, 0,039, 0,055, 0,075, 0,89 и 1,58 THz and also at the lower temperatures up to - 80 С.